洁净室喷雾器,CRF4喷雾器,LN2喷雾器,烟雾研究,超纯雾器,聚苯乙烯乳胶,尺寸标准品,校准硅片标准品,二氧化硅颗粒立即致电我们! (719)428-4042|[email protected]

校准晶圆标准,PSL晶圆标准

校准,晶圆检查系统  | PSL领域  | 全沉积  | PSL晶圆标准  | 校准晶圆标准

校准晶圆标准品是一种NIST可追溯的PSL晶圆标准品,包括尺寸证书,该标准品沉积有单分散聚苯乙烯乳胶珠,并且在50nm和10微米之间具有窄的尺寸峰,以校准Tencor Surfscan 6220和6440,KLA-Tencor Surfscan SP1的尺寸响应曲线,SP2和SP3晶圆检查系统。 校准晶圆标准品以全沉积的形式沉积在整个晶圆上,具有单个粒径; 或以1或更多个粒径标准峰的SPOT沉积方式沉积,精确定位在晶圆标准品周围。

Tencor Surfscan,Hitachi和KLA-Tencor工具的校准晶片标准和绝对校准标准

类别:

描述

校准晶圆标准

PSL校准晶圆标准 or 二氧化硅污染晶圆标准

Applied Physics使用颗粒尺寸标准品提供校准晶片标准品,以校准KLA-Tencor Surfscan SP1,KLA-Tencor Surfscan SP2,KLA-Tencor Surfscan SP3,KLA-Tencor Surfscan SP5,KLA-Tencor Surscan SP5xp,Surfscan 6420x Surfscan 6220,Surfscan 6200,ADE,Hitachi和Topcon SSIS工具和晶圆检查系统。 我们的2300 XP1颗粒沉积系统可以使用PSL Spheres和SiO150颗粒沉积在200mm,300mm和2mm晶圆上。

这些PSL污染晶圆标准被半导体计量管理人员用来校准由KLA-Tencor,Topcon,ADE和Hitachi制造的扫描表面检测系统(SSIS)的尺寸响应曲线。 PSL晶圆标准还用于评估Tencor Surfscan工具在整个硅或薄膜沉积晶圆上扫描的均匀程度。

校准晶片标准品用于验证和控制SSIS工具的两个规格:特定粒径的尺寸精度以及每次扫描过程中整个晶片的扫描均匀性。 校准晶圆通常以一种完整的沉积形式提供,通常只有一种粒径,通常在50nm和12微米之间。 通过在整个晶圆上进行沉积,即进行完整沉积,晶圆检查系统会在颗粒峰上键入,操作员可以轻松确定SSIS工具是否符合此规格。 例如,如果晶圆标准为100nm,并且SSIS工具扫描95nm或105nm处的峰,则SSIS工具无法校准,可以使用100nm PSL晶圆标准进行校准。 扫描晶圆标准品还告诉技术人员,SSIS工具在PSL晶圆标准品上的检测效果如何,寻找在均匀沉积的晶圆标准品上粒子检测的相似性。 晶圆标准表面以特定的PSL尺寸沉积,没有晶圆的任何部分未沉积有PSL球。 在扫描PSL晶圆标准品的过程中,整个晶圆的扫描均匀性应表明SSIS工具在扫描过程中并未忽略晶圆的某些区域。 全沉积晶片的计数精度是主观的,因为两种不同的SSIS工具(沉积站点和客户站点)的计数效率不同,有时高达50%。 因此,使用SSIS工具204计数并在2500计数时具有1nm高精度尺寸峰的相同粒子晶圆标准品,可以在客户现场由SSIS 2扫描,并且同一204nm峰的计数可以在1500计数之间的任何地方计数到3000个计数。 这两个SSIS工具之间的计数差异是由于在两个单独的SSIS工具中运行的每个PMT(光电倍增管)的激光效率所致。 通常,由于两个晶片检查系统的激光功率差异和激光束强度,两个不同晶片检查系统之间的计数精度通常会有所不同。

校准晶片标准品,全沉积,5um –校准晶片标准品,点沉积,100nm

校准晶圆标准,5um,完全沉积
100nm PSL晶圆标准,点沉积

PSL晶圆标准品有两种沉积类型:上面显示的完全沉积和点沉积。

可以沉积聚苯乙烯乳胶球(PSL球)或二氧化硅纳米颗粒。

带有点沉积的PSL晶圆标准品用于SSIS的尺寸精度校准。

PSL校准晶圆标准 – 询价单

二氧化硅污染晶圆标准 – 询价单

具有斑点沉积的校准晶圆标准品的优点在于,沉积在晶圆上的PSL球体的斑点可以清晰地看到为斑点,并且斑点沉积周围的其余晶圆表面没有任何PSL球体。 优点是随着时间的流逝,人们可以分辨出何时校准晶片标准品太脏而无法用作尺寸参考标准品。 点沉积法将所有所需的PSL球体在受控的点位置处压在晶圆表面上; 因此,结果是几乎没有PSL球,并且提高了计数精度。 应用物理公司使用2300XP1模型使用DMA(差分迁移率分析仪)技术,以确保沉积的NIST可追踪PSL尺寸峰准确并参考NSIT尺寸标准。 CPC用于控制计数准确性。 DMA旨在从颗粒流中去除多余的颗粒,例如双峰和三重峰。 DMA还设计用于去除颗粒峰左右两侧的多余颗粒。 因此确保了单分散的粒子峰沉积在晶片表面上。 在不使用DMA技术的情况下进行沉积可以使多余的双峰,三重态和背景颗粒以及所需的颗粒尺寸沉积在晶圆表面上。

PSL校准晶圆标准品的生产技术

PSL领域PSL晶圆标准通常以两种方式生产:直接沉积和DMA控制沉积。

应用物理能够使用DMA沉积控制和直接沉积控制。 DMA控制提供了非常窄的尺寸分布,并在背景中沉积了最少的雾度,双峰和三重态,从而提供了150nm以下的最大尺寸精度。 还提供了出色的计数准确性。 PSL直接沉积可提供从150nm到5微米的良好沉积。

直接沉积

直接沉积法使用单分散的聚苯乙烯胶乳球体源或单分散的二氧化硅纳米颗粒源,稀释至合适的浓度,与高度过滤的气流或干燥的氮气流混合,并均匀沉积在硅晶片或空白光掩模上,进行全沉积或斑点沉积。 直接沉积的成本较低,但是尺寸精度较低。 它最适合用于1微米至12微米的PSL尺寸沉积。

如果比较几家生产相同尺寸的聚苯乙烯乳胶球的公司,例如以204nm进行比较,则两家公司生产的两种PSL沉积物的峰尺寸差异可能高达3%。 制造方法,测量仪器和测量技术造成了这种差异。 这意味着当从瓶源中以“直接沉积”方式沉积聚苯乙烯乳胶球时,所沉积的尺寸不会通过差动迁移率分析仪进行分析,结果将是任何大小变化,无论是在聚苯乙烯乳胶球瓶源中。 DMA具有隔离非常特定的大小峰的能力

差分迁移率分析仪,DMA颗粒沉积

第二种更精确的方法是DMA(差动分析仪)沉积控制。 DMA控制允许手动或通过自动配方控制来控制要沉积的PSL球和二氧化硅颗粒等关键参数,例如空气流量,气压和DMA电压。 DMA在60nm,102nm,269nm和895nm处已按照NIST标准进行了校准。 用去离子水将PSL球和二氧化硅颗粒稀释至所需浓度,然后雾化成气溶胶,然后与干燥空气或干氮混合以蒸发每个球或颗粒周围的去离子水。 右侧的框图描述了该过程。 然后将气溶胶流中和,以去除颗粒气流中的双电荷和三电荷。 然后通过使用质量流量控制器的高精度气流控制将颗粒流导入DMA。 使用高精度电源进行电压控制。 DMA将所需的粒子峰从气流中分离出来,同时还去除了所需大小峰左侧和右侧的不需要的背景粒子。 DMA根据NIST尺寸校准以所需的精确尺寸提供了一个狭窄的粒径峰。 然后将其导向晶片表面进行沉积。 所需的粒子峰的分布宽度通常为3%或更小,作为完整沉积在整个晶圆上均匀沉积,或者在晶圆周围的任何点(称为SPOT沉积)的小圆点上沉积。 同时监视颗粒计数,以了解晶片表面的计数。 使用NIST可追踪尺寸标准进行DMA校准,可确保尺寸峰的尺寸高度准确; 狭小,可为KLA-Tencor SP1和KLA-Tencor SP2,SP3,SP5或SP5xp晶圆检查系统提供出色的粒度校准。

如果将来自两个不同制造商的204nm PSL球用于DMA控制的粒子沉积系统,则DMA将从两个不同的PSL瓶中分离出相同的精确尺寸峰,从而将精确的204nm沉积到晶片表面上。

DMA控制的粒子沉积系统能够提供更好的计数精度,以及整个沉积过程的计算机配方控制。 此外,基于DMA的系统可以沉积二氧化硅粒径在50nm至2微米之间的二氧化硅纳米粒子。

翻译:

点击这里查看大容量除雾器
 
单击此处获取低成本去污雾化器
 
点击这里查看大容量LN2烟雾研究烟雾
 
点击这里查看大烟雾研究水雾器
 
点击这里查看低成本烟雾研究烟气
  
购买尺寸颗粒标准品和二氧化硅纳米球

购物车